Substrato in nitruro di silicio resistente all'usura

Substrato in nitruro di silicio resistente all'usura

La loro resistenza estremamente elevata li rende inoltre un materiale chiave che aumenta la durata e l'affidabilità dei prodotti in cui vengono utilizzati. Il substrato in nitruro di silicio resistente all'usura Torbo® prodotto in Cina viene utilizzato in campi elettronici come i moduli a semiconduttori di potenza, sostituendo altri materiali isolanti per aumentare la produzione e ridurre dimensioni e peso, inverter e convertitori.

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Descrizione del prodotto

Come un Torbo® professionale di alta qualitàSubstrato in nitruro di silicio resistente all'usuraproduttore, potete essere certi di acquistare un substrato resistente all'usura in nitruro di silicio dalla nostra fabbrica e vi offriremo il miglior servizio post-vendita e consegne puntuali. L'elevata concentrazione di silicio rende il substrato resistente all'usura in nitruro di silicio altamente resistente ai danni causati dalle radiazioni ionizzanti e cambiamenti di temperatura, il che li rende ideali per l'uso nello spazio e in applicazioni ad alta temperatura. Un Torbo®Substrato in nitruro di silicio resistente all'usuraè un materiale utilizzato nella produzione elettronica. È costituito da un sottile strato di nitruro di silicio, che ha un'elevata resistenza alla conduttività elettrica e un'alta concentrazione di atomi di silicio. Questo materiale è comunemente utilizzato nella produzione di dispositivi a semiconduttore, come transistor e diodi, nonché di dispositivi optoelettronici, come celle solari e diodi emettitori di luce (LED).

Il substrato in nitruro di silicio resistente all'usura Torbo®

Articolo: substrato di nitruro di silicio

Materiale:Si3N4

Colore: grigio

Spessore: 0,25-1 mm

Lavorazione della superficie: doppia lucidatura

Densità apparente: 3,24 g/㎤

Rugosità superficiale Ra: 0,4μm

Resistenza alla flessione: (metodo a 3 punti): 600-1000Mpa

Modulo di elasticità: 310Gpa

Resistenza alla frattura (metodo IF): 6,5 MPa・√m

Conduttività termica: 25°C 15-85 W/(m・K)

Fattore di perdita dielettrica: 0,4

Resistività del volume: 25°C >1014 Ω・㎝

Resistenza alla rottura: DC >15㎸/㎜

La Borsa®Substrato in nitruro di silicio resistente all'usuraprodotti dalla fabbrica cinese vengono utilizzati in campi elettronici come moduli di semiconduttori di potenza, inverter e convertitori, sostituendo altri materiali isolanti per aumentare la produzione e ridurre dimensioni e peso.

La loro resistenza estremamente elevata li rende inoltre un materiale chiave che aumenta la durata e l'affidabilità dei prodotti in cui vengono utilizzati. Dissipazione del calore su entrambi i lati nelle schede di potenza (semiconduttori di potenza), unità di controllo di potenza per automobili

FAQ

3. Quali sono i vantaggi dell'utilizzo del substrato in nitruro di silicio resistente all'usura nei prodotti elettronici?

I substrati elettronici offrono numerosi vantaggi, come eccellente stabilità termica e meccanica, elevata precisione dimensionale e basso coefficiente di espansione termica (CTE).

4. Quali sono le sfide nella produzione di substrati in nitruro di silicio resistenti all'usura?

Le principali sfide nella produzione di substrati elettronici includono garantire uno spessore uniforme, evitare difetti come vuoti e delaminazioni e controllare il CTE.

5. È possibile personalizzare il substrato in nitruro di silicio resistente all'usura per soddisfare requisiti specifici del prodotto?

Sì, i substrati elettronici possono essere personalizzati per soddisfare requisiti specifici del prodotto regolando parametri quali spessore, costante dielettrica e rigidità. Ciò consente una maggiore flessibilità nella progettazione del prodotto e nell’ottimizzazione delle prestazioni.


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