Substrato ceramico in nitruro di silicio Si3n4

Substrato ceramico in nitruro di silicio Si3n4

Il substrato ceramico al nitruro di silicio Si3n4 è un tipo di materiale avanzato utilizzato in molte applicazioni diverse, dall'elettronica all'industria aerospaziale. Ha una combinazione unica di proprietà che la rendono una delle ceramiche più versatili e durevoli disponibili. Il nitruro di silicio è un materiale incredibilmente duro e resistente, che lo rende altamente resistente all'usura. Ha un'eccellente stabilità termica, il che significa che può resistere alle alte temperature senza degradarsi o perdere le sue proprietà. Inoltre, è altamente isolante dal punto di vista elettrico, fornendo un eccellente isolamento e protezione ai componenti elettrici.

Il substrato ceramico in nitruro di silicio viene utilizzato in vari componenti elettronici, come semiconduttori di potenza e diodi emettitori di luce (LED), grazie alle sue eccellenti proprietà di conduttività termica e dissipazione del calore. Viene utilizzato anche in applicazioni meccaniche, come cuscinetti ad alta velocità e utensili da taglio, grazie alla sua eccezionale resistenza e tenacità. L'industria aerospaziale utilizza il substrato ceramico di nitruro di silicio in applicazioni ad alta temperatura, come parti di turbine, grazie alla sua eccellente resistenza allo shock termico e alla resistenza all'ossidazione.

Nel complesso, il substrato ceramico in nitruro di silicio è un materiale eccezionale con una vasta gamma di applicazioni. La sua durabilità, stabilità termica, isolamento elettrico e resistenza meccanica lo rendono una scelta popolare in molti settori diversi.

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Il substrato ceramico Torbo®Nitruro di silicio Si3n4

Articolo: substrato ceramico di nitruro di silicio Si3n4

Materiale:Si3N4

Colore: grigio

Spessore: 0,25-1 mm

Lavorazione della superficie: doppia lucidatura

Densità apparente: 3,24 g/㎤

Rugosità superficiale Ra: 0,4μm

Resistenza alla flessione: (metodo a 3 punti): 600-1000Mpa

Modulo di elasticità: 310Gpa

Resistenza alla frattura (metodo IF): 6,5 MPa･√m

Conduttività termica: 25°C 15-85 W/(m･K)

Fattore di perdita dielettrica: 0,4

Resistività del volume: 25°C >1014 Ω･㎝

Resistenza alla rottura: DC >15㎸/㎜