Substrato ceramico in nitruro di silicio per l'elettronica

Substrato ceramico in nitruro di silicio per l'elettronica

Il substrato ceramico al nitruro di silicio per l'elettronica è un tipo specializzato di materiale ceramico utilizzato in varie applicazioni industriali in cui sono richieste elevata resistenza, durata e stabilità termica. È costituito da una combinazione di silicio, azoto e altri elementi che gli conferiscono proprietà meccaniche, termiche e chimiche uniche.

Il substrato ceramico Si3N4 ha un'eccezionale resistenza meccanica, che lo rende altamente resistente all'usura e ai danni derivanti da urti e compressione. È inoltre altamente resistente agli shock termici, in grado di sopportare rapidi sbalzi di temperatura senza fessurarsi o rompersi. Ciò lo rende ideale per l'uso in settori ad alta temperatura come quello aerospaziale, dell'ingegneria automobilistica e altre aree in cui è necessaria la dissipazione del calore.

Oltre alle proprietà meccaniche e termiche, il substrato ceramico Si3N4 offre anche un eccellente isolamento elettrico e una buona resistenza alla corrosione in ambienti difficili. Viene utilizzato in applicazioni elettroniche e di semiconduttori come moduli di potenza ed elettronica ad alta temperatura grazie alle sue proprietà di isolamento e dissipazione del calore superiori.

Nel complesso, il substrato ceramico in nitruro di silicio Si3N4 è un materiale eccezionale con un'ampia gamma di applicazioni. La sua eccezionale resistenza meccanica, stabilità termica, isolamento elettrico e resistenza chimica lo rendono ideale per varie applicazioni industriali ed elettroniche in cui affidabilità ed efficienza sono fattori critici.

Il substrato ceramico al nitruro di silicio Torbo® per l'elettronica

Articolo: substrato di nitruro di silicio

Materiale:Si3N4

Colore: grigio

Spessore: 0,25-1 mm

Lavorazione della superficie: doppia lucidatura

Densità apparente: 3,24 g/㎤

Rugosità superficiale Ra: 0,4μm

Resistenza alla flessione: (metodo a 3 punti): 600-1000Mpa

Modulo di elasticità: 310Gpa

Resistenza alla frattura (metodo IF): 6,5 MPa･√m

Conduttività termica: 25°C 15-85 W/(m･K)

Fattore di perdita dielettrica: 0,4

Resistività di volume: 25°C >1014 Ω･㎝

Resistenza alla rottura: DC >15㎸/㎜