Substrato in carburo di silicio

Siliciosubstrato di carburo:

UN. Materia prima: il SiC non viene prodotto naturalmente ma viene miscelato con silice, coke e una piccola quantità di sale e il forno di grafite viene riscaldato a più di 2000 °C e viene generato l'A-SIC. Precauzioni, si può ottenere un insieme policristallino a forma di blocco di colore verde scuro;

B. Metodo di produzione: la stabilità chimica e la stabilità termica del SiC sono molto buone. È difficile ottenere la densificazione utilizzando metodi comuni, quindi è necessario aggiungere un aiuto sinterizzato e utilizzare metodi speciali per cuocere, solitamente mediante il metodo di pressatura termica sotto vuoto;

C. Caratteristiche del substrato SiC: La natura più distintiva è che il coefficiente di diffusione termica è particolarmente elevato, addirittura più rame del rame, e il suo coefficiente di espansione termica è più vicino al Si. Naturalmente, ci sono alcuni inconvenienti, relativamente, la costante dielettrica è elevata e la tensione di tenuta dell'isolamento è peggiore;

D. Applicazione: per siliciosubstrati di carburo, lunga estensione, uso multiplo di circuiti a bassa tensione e pacchetti ad alto raffreddamento VLSI, come nastro LSI ad alta velocità e logica di integrazione elevata e computer di grandi dimensioni, applicazione di substrato per diodi laser con credito di comunicazione luminosa, ecc.

Substrato della custodia (BE0):

La sua conduttività termica è più del doppio di quella dell'A1203, che è adatto per circuiti ad alta potenza, e la sua costante dielettrica è bassa e può essere utilizzata per circuiti ad alta frequenza. Il substrato BE0 è fondamentalmente costituito da un metodo di pressione secca e può anche essere prodotto utilizzando una quantità in tracce di MgO e A1203, come un metodo tandem. A causa della tossicità della polvere BE0, esiste un problema ambientale e il substrato BE0 non è consentito in Giappone, può essere importato solo dagli Stati Uniti.